特讯热点！三星3D NAND堆叠技术领跑行业，长存美光紧追其后

三星3D NAND堆叠技术领跑行业，长存美光紧追其后

[美国，加州] - 据市场研究机构TechInsights近日发布的报告，三星电子在3D NAND闪存堆叠技术方面处于领先地位，其平均每单元比特堆叠层数达到了176层，而紧随其后的长存美光则为164层。

报告指出，三星在3D NAND堆叠技术方面的领先优势主要体现在其先进的晶圆代工工艺和设计架构上。三星采用了一系列创新的技术，例如沟槽填充技术和自对准蚀刻技术，使得其能够在更薄的晶圆上制造更多的存储层。此外，三星还开发了一种新的3D NAND架构，该架构可以提高存储单元的密度和性能。

长存美光也在3D NAND堆叠技术方面投入了大量研发资金，并取得了显著进展。该公司目前正在开发176层3D NAND闪存，预计将于2024年底投产。

3D NAND闪存是目前最先进的闪存技术之一，具有更高的存储密度、更快的速度和更低的功耗。随着智能手机、数据中心和服务器等应用对存储需求的不断增长，3D NAND闪存市场预计将快速增长。

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美联储官员释放降息信号：期待通胀数据持续向好

北京时间2024年6月19日 - 美联储官员近期频频释放降息信号，但同时也强调需要看到几个月的良好通胀数据才能采取行动。

芝加哥联储行长Austan Goolsbee表示，5月份公布的CPI数据显示通胀有所缓解，这是一个积极的迹象，但“毕竟只是单月数据”。他表示，如果未来几个月的数据持续显示通胀回落趋势，美联储将对降息更有信心。

明尼阿波利斯联储行长Neel Kashkari也表达了类似的观点。他表示，美联储需要看到通胀率持续下降并稳定在目标水平附近，才能考虑降息。

美联储主席鲍威尔在上周的讲话中也强调，美联储将继续关注通胀数据，并在必要时调整政策。

市场分析人士认为，美联储官员的表态表明，尽管他们对近期通胀数据有所缓和感到欣慰，但仍然谨慎行事，不会急于降息。未来几个月的通胀数据将是决定美联储降息步伐的关键因素之一。

以下是一些可能影响未来通胀数据的因素：

• 全球大宗商品价格走势
• 供应链瓶颈缓解情况
• 劳动力市场状况
• 美联储货币政策

美联储的货币政策对经济和金融市场具有重大影响。如果美联储降息，可能会刺激经济增长，但也可能导致通胀反弹。因此，美联储需要权衡利弊，审慎决策。

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美联储官员释放降息信号 但强调需持续观察通胀数据